Компания Samsung показала свои накопители Z-SSD (нечто среднее между DRAM и SSD, что звучит похоже на 3D XPoint) на основе памяти Z-NAND. Тестовый образец с интерфейсом PCIe называется MZ-PJB8000, имеет объем памяти 800 ГБ, скорость чтения на уровне 750 000 IOPS и записи — 160 000 IOPS.
Благодаря использованию памяти Z-NAND и вероятно новому контроллеру (о нем Samsung расскажет, по всей видимости, позже) задержка сократится на 70% по сравнению с современными SSD c NVMe.
Samsung планирует выпустить Z-SSD объемом 1 ТБ, 2 ТБ и 4 ТБ. Дата выхода пока не называется. Также неизвестной остается и стоимость.
