Samsung представила мощный 10-нанометровый процессор Exynos 9 Series 8895

Компания Samsung Electronics представила свой новый топовый процессор — Exynos 9 Series 8895. Это первый чипсет компании на основе 10-нанометрового техпроцесса FinFET с транзисторной 3D-структурой.

Отметим, что такая же технология использована в топовом процессоре Snapdragon 835 от Qualcomm, который разрабатывается совместно с Samsung. Как ожидается, оба этих процессора лягут в основу двух версий следующего флагмана Samsung — Galaxy S8.

По словам производителя, процессор Exynos 9 Series 8895 также первым получил гигабитный LTE-модем с агрегацией пяти несущих (5CA). Он обеспечивает загрузку данных на скорости до 1 Гбит/с (Cat.16 с 5CA), а передачу в сеть — на скорости до 150 Мбит/с (Cat.13 с 2CA).

Чип Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) обеспечивает на 30% более высокую удельную эффективность поверхности, рост производительности на 27%, а также снижение энергопотребления на 40% по сравнению с 14-нанометровым предшественником.

Exynos 8895 получил восемь процессорных ядер, четыре из них представляют собой кастомные ядра собственной разработки Samsung второго поколения, а остальные четыре — Cortex-A53. Чип содержит также графику Mali-G71, способную справляться с проигрыванием и записью 4K UHD на скорости 120 кадров в секунду, в том числе с контентом виртуальной реальности.

Кроме того, предусмотрен отдельный процессорный модуль для задач, связанных с безопасностью для мобильных платежей, и видедеопроцессор для обработки задач машинного зрения и тому подобного.

Массовое производство Exynos 9 Series 8895 уже начато Samsung.